利用逆向工程破解別人的營業秘密（而這是合法的）或自我研發一個新技術後，若去申請專利，就可以讓他人在專利有效期間內，都不能再使用同樣的技術生產、製造與販售產品了。
一般來說，用營業秘密來保護自己研發所得，雖然沒有效期問題，但會有幾個大缺點：（1）你要證明你有營業秘密而且有採取合理的保密措施；（2）你必須舉證他人有參與故意竊取你的營業秘密的行動；（3）你還要證明自己因此所受的損害。所以，如果他人是經由逆向工程或自我研發或經由他人取得該營業秘密，那多半是吿不成其竊密或洩密了。
但是，如果他人拿一個非法取得的營業秘密去申請專利，因為專利說明書在申請後18個月後必須強制公開，反而會讓被竊秘方，得到一個絕佳的機會，去比對與檢視被竊技術文件與專利說明書，來舉證被竊之營業秘密，竟然被偷竊方拿去申請專利，還得到了法院禁制令，禁止原創者去製造、販賣與進口其產品。聯電與福建晉華被控竊取美光案的情況，好像就是這樣發展的。精彩、刺激，好看極了！
「《天下》獨家取得美國司法部、美光與台中地檢署的起訴書與訴狀。經過詳細比對，發現美國在今年9月起訴的起訴書（11月2日才公布），較台中地檢署起訴書，多出若干新事證。
例如，起訴書指出，從2016年9月到2017年3月之間，聯電與晉華在美國聯合取得5個專利、1個申請中，這6個專利都與美光被盜用的的技術相同或高度相似，而且這些美光的營業祕密「無法藉由逆向工程的方式取得」。
其中一項專利，是2017年6月13日，美國專利局核准的「半導體元件與製造方法概要」專利，編號是US 967990 B1。
該專利列了6個發明人，包括被起訴的前美光員工何建廷。「專利申請揭露的內容，來自美光被盜用的機密文件，」起訴書寫著。
主要來自兩份美光機密文件，包括共233頁的25奈米科技（25nm Precess Travel Document），包含美光25奈米技術「從頭到尾，非常仔細地描述」，以及共302頁的20奈米科技，主要包含如何從25奈升級到20奈米的技術細節。
這些是何建廷和王永銘離開美光時，下載帶走的美光技術資料內容的主要部分。其中，美光指控曾任美光品質工程部副理的王永銘，從美光帶走超過900筆技術檔案。」
聯電對於竊密案的說法。
「聯電在聲明中指出，聯華電子是國際公認、台灣起家的半導體公司。38 年來，在全球的供應鏈上，已經成為不可或缺的一員，先進量產技術達 14 奈米。對比之下，美光公司爭執所涉及的 DRAM 技術，是 32 奈米，在聯華電子的計畫啟動當時，已經是落後幾個世代的技術。
而社會上有一個錯誤的印象，認為聯華電子沒有任何 DRAM 的知識或經驗，這不是事實，而且是極端的不實。從 1996 年到 2010 年，聯華電子積累了近 15 年製造 DRAM 產品的經驗。甚至在某個時間點上，聯華電子內部 DRAM 團隊人數，超過 150 人。聯華電子是一個有組織的企業機構，藉由堅實而穩定的團隊，掌握並保存了豐富的 DRAM 知識和經驗。
舉個例子來說，現任聯華電子共同總經理之一的簡山傑，是 1996 年時開發 DRAM 產品的 RAM 製程開發經理。另一個實例則是: Alliance 公司是 1996 年第一個獲得聯華電子公司授權合作 DRAM 夥伴之一，該公司是一家總部位於美國的 DRAM 晶片設計公司，藉由聯華電子的技術進行 DRAM 製造。除了傳統的 DRAM 技術外，2009 年聯華電子更成功開發了屬於自己的嵌入式 DRAM 製程技術，這比製造標準型 DRAM 的過程要複雜得多。」
